ПШвИ - ПЕРВЫЙ ШАГ в ИНТЕРНЕТ

МБОУ БСОШ №1 

  • Увеличить размер шрифта
  • Размер шрифта по умолчанию
  • Уменьшить размер шрифта
ПУБЛИКАЦИИ / РАДИОЭЛЕКТРОНИКА / Основные параметры полевого n-канального транзистора CEP50N06/CEB50N06

Основные параметры полевого n-канального транзистора CEP50N06/CEB50N06

Печать

Основные параметры полевого n-канального транзистора CEP50N06/CEB50N06

Тип канала: n-канал
Структура (технология): MOSFET

Pd max, мВт Uds max, В Udg max, В Ugs max, В Id max, мА Tj max, °C Fr (T on/of) Ciss tip, пФ Rds, Ом
131000 60   +-20 50000 -55+175 (18ns/32.5ns) 1230 0.019

 

Производитель: CET

Схемы транзистора CEP50N06/CEB50N06

Цоколевка транзистора CEP50N06/CEB50N06.

CEP50N06 CEB50N06

 

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.

 

 


CET CEP50N06

Транзистор MOSFET Одиночный N-канальный 60в 35А, TO-220

TO-220

ПроизводительCET
ИзделиеCEP50N06
Артикулx122774
КорпусTO-220
Напряжение сток-исток60В
Рабочая температура-55 +175С
Рассеиваемая мощность131.0Вт
Сопротивление открытого канала22.0Ом
СпецификацияCEP50N06.pdf
ТипN-channel
Ток стока50.0А

 

 

Добавить комментарий


Защитный код
Обновить


Top.Mail.Ru Яндекс.Метрика
iikt  TIiIKT  ikt24.org.ru  gerb gerb