Транзисторы КТ815

Транзисторы КТ815 - кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры - n-p-n.
Применяются в усилительных и генераторных схемах. Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса - около 1 г. Маркировка буквенно - цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная - в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ815 цифра 5, второй знак - буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже - цоколевка и маркировка КТ815.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока 
У транзисторов КТ815А, КТ815Б, КТ815В от 30. 
 У транзисторов КТ815Г - от 20.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ815А - 25 в. 
У транзисторов КТ815Б - 45 в. 
У транзисторов КТ815В - 60 в. 
У транзисторов КТ815Г - 80 в. 

Максимальный ток коллектора - 1,5 А постоянный, 3 А - импульсный.

Рассеиваемая мощность коллектора. - 10 Вт на радиаторе, 1 Вт - без.

Обратный ток колектора. 
При напряжении коллектор-база 40 в - 50 мкА

Сопротивление базы. При напряжении эмиттер-база 5 в, токе коллектора 5 мА, на частоте 800 кГц - не более 800 Ом.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А 
- не более 0,6 в. 

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А 
- не более 1,2 в. 

Емкость коллекторного перехода при частоте 465 кГц и напряжении коллектор-база 5в - 60 пФ.

Граничная частота передачи тока - 3 МГц.