ПШвИ - ПЕРВЫЙ ШАГ в ИНТЕРНЕТ

МБОУ БСОШ №1 

  • Увеличить размер шрифта
  • Размер шрифта по умолчанию
  • Уменьшить размер шрифта
ПУБЛИКАЦИИ / РАДИОЭЛЕКТРОНИКА / КТ503 (кремниевый транзистор, n-p-n) и КТ502 (p-n-p)

КТ503 (кремниевый транзистор, n-p-n) и КТ502 (p-n-p)

Печать

КТ503 (кремниевый транзистор, n-p-n)

npnp20a to-92

Прибор Предельные параметры Параметры при T = 25°C RТ п-с, °C/Вт
    при T = 25°C                      
IК max, мА IК и max, мА UКЭ0 гр, В UКБ0 max, В UЭБ0 max, В PК max, мВт T, °C Tп max, °C Tmax, °C h21Э UКЭ, В IЭ, мА UКЭ нас, В IКБ0, мкА fгр, МГц Кш, дБ CК, пФ CЭ, пФ tрас, мкс
КТ503 А 150 350 25 40 5 350 25 125 85 40...120 5 10 0,6 1 5   20 30   214
КТ503 Б 150 350 25 40 5 350 25 125 85 80...240 5 10 0,6 1 5   20 30   214
КТ503 В 150 350 40 60 5 350 25 125 85 40...120 5 10 0,6 1 5   20 30   214
КТ503 Г 150 350 40 60 5 350 25 125 85 80...240 5 10 0,6 1 5   20 30   214
КТ503 Д 150 350 60 80 5 350 25 125 85 40...120 5 10 0,6 1 5   20 30   214
КТ503 Е 150 350 80 100 5 350 25 125 85 40...120 5 10 0,6 1 5   20 30   214

и еще о ...
Цоколевка транзистора КТ503Е

t1a

Обозначение транзистора КТ503Е на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ503Е обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

transistor-n-p-n

Характеристики транзистора КТ503Е

  • Структура n-p-n
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 80 В
  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 150(350) мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.35 Вт
  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 40-120
  • Обратный ток коллектора <=1 мкА
  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>350 МГц
  • BSS38

 

Аналоги транзистора КТ503Е

  • BSS38

И комплементарный транзистор "антипод":

Цоколевка транзистора КТ502Е

kt502e

Обозначение транзистора КТ502Е на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ502Е обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

transistor-p-n-p

Характеристики транзистора КТ502Е

  • Структура p-n-p
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 90 В
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 80 В
  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 150(350) мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.35 Вт
  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 40-120
  • Обратный ток коллектора <=1 мкА
  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>350 МГц
  • BSS68

Аналоги транзистора КТ502Е

  • BSS68

 

Добавить комментарий


Защитный код
Обновить


Top.Mail.Ru Яндекс.Метрика
iikt  TIiIKT  ikt24.org.ru  gerb gerb